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70V06L15JG

HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM

Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous readsofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:15ns(max.) –Industrial:20ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V06L Active:380mW(typ.) Standby:660μW(typ.) ◆IDT70V06easilyexpandsdatabuswidt

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70V06L15JG

HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V06L15JG

HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V06L15JG

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：68-LCC（J 形引線） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 128KBIT PARALLEL 68PLCC

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

70V06L15JG8

HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM

Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous readsofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:15ns(max.) –Industrial:20ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V06L Active:380mW(typ.) Standby:660μW(typ.) ◆IDT70V06easilyexpandsdatabuswidt

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70V06L15JG8

HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V06L15JG8

HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V06L15JGI

HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V06L15JGI

HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V06L15JGI8

HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V06L15JGI8

HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V06L15JG8

包裝：托盤 封裝/外殼：68-LCC（J 形引線） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 128KBIT PARALLEL 68PLCC

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    70V06L15JG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 雙端口，異步

  • 存儲容量：

    128Kb（16K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    68-LCC（J 形引線）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    68-PLCC（24.21x24.21）

  • 描述：

    IC SRAM 128KBIT PARALLEL 68PLCC

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
IDT, Integrated Device Technol
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更多70V06L15JG供應(yīng)商 更新時間2025-1-7 16:11:00

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