70V261S25PFI8_集成電路（IC）存儲器-瑞薩

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廠家型號：
70V261S25PFI8
制造商：
RENESAS/瑞薩
庫存數(shù)量：
0
類別：
集成電路（IC）存儲器
封裝外殼：
100-LQFP
包裝：
卷帶（TR）
安裝類型：
表面貼裝型
更新時間：
2024-11-6 14:56:00

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原廠料號：70V261S25PFI8品牌：Renesas Electronics America Inc

資料說明：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP

70V261S25PFI8是集成電路（IC） > 存儲器。制造商RENESAS/瑞薩生產封裝100-LQFP的70V261S25PFI8存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

芯片型號：
70v261s25pfi8
規(guī)格書：
下載
企業(yè)簡稱：
RENESAS【瑞薩】詳情
廠商全稱：
Renesas Technology Corp
中文名稱：
瑞薩科技有限公司
資料說明：
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP

產品屬性

類型
描述
產品編號：
70V261S25PFI8
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
卷帶（TR）
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
SRAM
技術：
SRAM - 雙端口，異步
存儲容量：
256Kb（16K x 16）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
25ns
電壓 - 供電：
3V ~ 3.6V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
100-LQFP
供應商器件封裝：
100-TQFP（14x14）
描述：
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP

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70V261S25PFI8_集成電路（IC） 存儲器-瑞薩

70V261S25PFI8

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