首頁(yè) >70V261S35PFG8>規(guī)格書(shū)列表
零件編號(hào) | 下載&訂購(gòu) | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
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70V261S35PFG8 | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:25/35ns(max.) –Industrial:25ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V261S Active:300mW(typ.) Standby:3.3mW(typ.) –IDT70V261L Active:300mW(typ.) | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | |
70V261S35PFG8 | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | IDT Integrated Device Technology, Inc. | IDT | |
70V261S35PFG8 | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | IDT Integrated Device Technology, Inc. | IDT | |
70V261S35PFG8 | 包裝:托盤(pán) 封裝/外殼:100-LQFP 類(lèi)別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP | Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
70V261S35PFG8
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類(lèi)別:
集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器
- 包裝:
托盤(pán)
- 存儲(chǔ)器類(lèi)型:
易失
- 存儲(chǔ)器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 雙端口,異步
- 存儲(chǔ)容量:
256Kb(16K x 16)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):
35ns
- 電壓 - 供電:
3V ~ 3.6V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類(lèi)型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
100-LQFP
- 供應(yīng)商器件封裝:
100-TQFP
- 描述:
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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