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70V26S35G

HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous readsofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:25/35/55ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V26S Active:300mW(typ.) Standby:3.3mW(typ.) –IDT70V26L Active:300mW(typ.) Standby:660μW(typ.) ◆

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70V26S35G

Package：84-BPGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

70V26S35GG

HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V26S35GG8

HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

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HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

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IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V26S35JG

HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V26S35JGI

HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT70V26S35G

HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT70V26S35GI

HIGH-SPEED3.3V16Kx16DUAL-PORTSTATICRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    70V26S35G

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 雙端口，異步

  • 存儲容量：

    256Kb（16K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    35ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    84-BPGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    84-PGA（27.94x27.94）

  • 描述：

    IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多70V26S35G供應(yīng)商 更新時間2025-1-22 10:02:00

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