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70V3319S133BFI8集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
70V3319S133BFI8 |
| 參數(shù)屬性 | 70V3319S133BFI8 封裝/外殼為208-LFBGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA |
| 功能描述 | HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| 文件大小 |
544.14 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
24 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2024-12-28 11:10:00 |
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更多70V3319S133BFI8規(guī)格書詳情
Features:
◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
◆ High-speed data access
– Commercial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)
– Industrial: 4.2ns (133MHz) (max.)
◆ Selectable Pipelined or Flow-Through output mode
– Due to limited pin count PL/FT option is not supported
on the 128-pin TQFP package. Device is pipelined
outputs only on each port.
◆ Counter enable and repeat features
◆ Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
◆ Full synchronous operation on both ports
– 6ns cycle time, 166MHz operation (6Gbps bandwidth)
– Fast 3.6ns clock to data out
– 1.7ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and
address inputs @ 166MHz
– Data input, address, byte enable and control registers
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
70V3319S133BFI8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
- 包裝：
托盤
- 存儲(chǔ)器類型：
易失
- 存儲(chǔ)器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 雙端口，同步
- 存儲(chǔ)容量：
4.5Mb（256K x 18）
- 存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
- 電壓 - 供電：
3.15V ~ 3.45V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
208-LFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝：
208-CABGA（15x15）
- 描述：
IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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