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70V3319S166BC

HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.6ns(166MHz)/4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode –DuetolimitedpincountP

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70V3319S166BC

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：256-LBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70V3319S166BC8

HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.6ns(166MHz)/4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode –DuetolimitedpincountP

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70V3319S166BCG

HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.6ns(166MHz)/4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode –DuetolimitedpincountP

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70V3319S166BCG

HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V3319S166BCG

HIGH-SPEED SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V3319S166BCG8

HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V3319S166BCG8

HIGH-SPEED SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V3319S166BCGI

HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V3319S166BCGI

HIGH-SPEED SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V3319S166BCGI8

HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V3319S166BCGI8

HIGH-SPEED SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V3319S166BC8

包裝：托盤 封裝/外殼：256-LBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70V3319S166BCG

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：256-LBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA

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瑞薩瑞薩科技有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    70V3319S166BC

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 雙端口，同步

  • 存儲容量：

    4.5Mb（256K x 18）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.15V ~ 3.45V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    256-LBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    256-CABGA（17x17）

  • 描述：

    IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多70V3319S166BC供應(yīng)商 更新時間2024-10-23 17:55:00

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