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70V3389S5BCI

HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:4.2/5/6ns(max.) –Industrial:5ns(max) ◆Pipelinedoutputmode ◆Counterenableandresetfeatures ◆Dualchipenablesallowfordepthexpans

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70V3389S5BCI

Package：256-LBGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

70V3389S5BCI8

HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:4.2/5/6ns(max.) –Industrial:5ns(max) ◆Pipelinedoutputmode ◆Counterenableandresetfeatures ◆Dualchipenablesallowfordepthexpans

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70V3389S5BCI8

Package：256-LBGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

70V3389S5BF

HIGH-SPEED3.3V64Kx18SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE

Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:4.2/5/6ns(max.) –Industrial:5ns(max) ◆Pipelinedoutputmode ◆Counterenableandresetfeatures ◆Dualchipenablesallowfordepthexpans

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70V3389S5BFG

HIGH-SPEED3.3VSYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V3389S5BFG

HIGH-SPEED3.3V64Kx18SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V3389S5BFGI

HIGH-SPEED3.3V64Kx18SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V3389S5BFGI

HIGH-SPEED3.3VSYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V3389S5BFI

HIGH-SPEED3.3V64Kx18SYNCHRONOUSPIPELINEDDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE

Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedclocktodataaccess –Commercial:4.2/5/6ns(max.) –Industrial:5ns(max) ◆Pipelinedoutputmode ◆Counterenableandresetfeatures ◆Dualchipenablesallowfordepthexpans

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    70V3389S5BCI

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 雙端口，同步

  • 存儲容量：

    1.125Mb（64K x 18）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.15V ~ 3.45V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    256-LBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    256-CABGA（17x17）

  • 描述：

    IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
RENESAS(瑞薩)/IDT
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更多70V3389S5BCI供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-30 15:00:00

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