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70V3389S6BC8集成電路（IC）存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
70V3389S6BC8 |
| 參數(shù)屬性 | 70V3389S6BC8 封裝/外殼為256-LBGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC） > 存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA |
| 功能描述 | HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| 文件大小 |
466.46 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
18 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-11-7 15:16:00 |
70V3389S6BC8規(guī)格書詳情
Features
◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
◆ High-speed clock to data access
– Commercial: 4.2/5/6ns (max.)
– Industrial: 5ns (max)
◆ Pipelined output mode
◆ Counter enable and reset features
◆ Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
◆ Full synchronous operation on both ports
– 7.5ns cycle time, 133MHz operation (9.6 Gbps bandwidth)
– Fast 4.2ns clock to data out
– 1.8ns setup to clock and 0.7ns hold on all control, data, and
address inputs @ 133MHz
– Data input, address, byte enable and control registers
– Self-timed write allows fast cycle time
◆ Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
◆ LVTTL- compatible, single 3.3V (±150mV) power supply for
core
◆ LVTTL- compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±125mV)
power supply for I/Os and control signals on each port
◆ Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is
available for selected speeds
◆ Available in a 128-pin Thin Quad Plastic Flatpack (TQFP),
208-pin fine pitch Ball Grid Array, and 256-pin Ball
Grid Array
◆ Green parts available, see ordering information
70V3389S6BC8屬于集成電路（IC） > 存儲器。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的70V3389S6BC8存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
70V3389S6BC8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
托盤
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 雙端口，同步
- 存儲容量：
1.125Mb（64K x 18）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 電壓 - 供電：
3.15V ~ 3.45V
- 工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
256-LBGA
- 供應(yīng)商器件封裝：
256-CABGA（17x17）
- 描述：
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞薩)/IDT |
1921+ |
CABGA-208(15x15) |
3575 |
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詢價 | ||
RENESAS(瑞薩電子) |
22+ |
NA |
500000 |
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詢價 | ||
RENESAS(瑞薩)/IDT |
2117+ |
CABGA-256(17x17) |
315000 |
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21+ |
256-CABGA(17x17) |
56200 |
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詢價 | ||
RENESAS(瑞薩)/IDT |
2021+ |
CABGA-256(17x17) |
499 |
詢價 | |||
RENESAS(瑞薩)/IDT |
23+ |
CABGA256(17x17) |
7350 |
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