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70V3569S6DR 集成電路(IC)存儲(chǔ)器 IDT
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
產(chǎn)品參考屬性
- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
70V3569S6DR
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
- 包裝:
托盤(pán)
- 存儲(chǔ)器類型:
易失
- 存儲(chǔ)器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 雙端口,同步
- 存儲(chǔ)容量:
576Kb(16K x 36)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 電壓 - 供電:
3.15V ~ 3.45V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
208-BFQFP
- 供應(yīng)商器件封裝:
208-PQFP(28x28)
- 描述:
IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市艾宇欣科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
王小姐
- 手機(jī):
137-5109-0307
- 詢價(jià):
- 電話:
137-5109-0307/0755-83946758
- 地址:
深圳市福田區(qū)梅林街道上梅社區(qū)上梅林新村30號(hào)403
相近型號(hào)
- 70V3579S4BF
- 70V3569S6BC
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- 70V34S25PF8
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- 70V3579S6BF8
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- 70V3579S6DR
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- 70V34S15PF