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70V3599S133BCGI	文件：341.43 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.6ns(166MHz)/4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode ◆Counterenableandrepeat	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70V3599S133BCGI	文件：246.24 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70V3599S133BCGI	文件：271 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70V3599S133BCGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：256-LBGA；包裝：卷帶（TR）類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
70V3599S133BCGI8	文件：246.24 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70V3599S133BCGI8	文件：271 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED 3.3V SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70V3599S133BCI	文件：341.43 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64Kx36SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.6ns(166MHz)/4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode ◆Counterenableandrepeat	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70V3599S133BF	文件：341.43 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64Kx36SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAMWITH3.3VOR2.5VINTERFACE Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.6ns(166MHz)/4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode ◆Counterenableandrepeat	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70V3599S133BFG	文件：246.24 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64Kx36SYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70V3599S133BFG	文件：271 Kbytes Page：23 Pages	HIGH-SPEED3.3VSYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
70V3599S133BCGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
卷帶（TR）
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
SRAM
技術：
SRAM - 雙端口，同步
存儲容量：
4.5Mb（128K x 36）
存儲器接口：
并聯(lián)
電壓 - 供電：
3.15V ~ 3.45V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
256-LBGA
供應商器件封裝：
256-CABGA（17x17）
描述：
IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市斌騰達科技有限公司	70V3599S133BCGI	IDT, Integrated Device Technol	21+	165-LBGA	5280	進口原裝!長期供應!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營	詢價
瀚佳科技(深圳)有限公司	70V3599S133BCGI	IDT, Integrated Device Technol	24+	256-CABGA(17x17)	56200	一級代理/放心采購	詢價
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更多70V3599S133BCGI供應商更新時間2025-3-4 13:01:00

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