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70V38L20PFGI集成電路(IC)存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

70V38L20PFGI
廠商型號(hào)

70V38L20PFGI

參數(shù)屬性

70V38L20PFGI 封裝/外殼為100-LQFP;包裝為管件;類(lèi)別為集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 1.125MBIT PAR 100TQFP

功能描述

HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 DUAL-PORT STATIC RAM
IC SRAM 1.125MBIT PAR 100TQFP

文件大小

416.17 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

19 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-6 15:02:00

70V38L20PFGI規(guī)格書(shū)詳情

Features

◆ True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

access of the same memory location

◆ High-speed access

– Commercial: 15ns (max.)

– Industrial: 20ns (max.)

◆ Low-power operation

– IDT70V38L

Active: 440mW (typ.)

Standby: 660μW (typ.)

◆ Dual chip enables allow for depth expansion without

external logic

◆ IDT70V38 easily expands data bus width to 36 bits or

more using the Master/Slave select when cascading more

than one device

◆ M/S = VIH for BUSY output flag on Master,

M/S = VIL for BUSY input on Slave

◆ Busy and Interrupt Flags

◆ On-chip port arbitration logic

◆ Full on-chip hardware support of semaphore signaling

between ports

◆ Fully asynchronous operation from either port

◆ Separate upper-byte and lower-byte controls for multiplexed

bus and bus matching compatibility

◆ LVTTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply

◆ Available in a 100-pin TQFP

◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

◆ Green parts available, see ordering information

70V38L20PFGI屬于集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的70V38L20PFGI存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    70V38L20PFGI

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 雙端口,異步

  • 存儲(chǔ)容量:

    1.125Mb(64K x 18)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    20ns

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    100-LQFP

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    100-TQFP

  • 描述:

    IC SRAM 1.125MBIT PAR 100TQFP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Renesas Electronics America In
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