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70V631S10BF

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V631easilyexpandsdatabuswidthto

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70V631S10BF

包裝：托盤 封裝/外殼：208-LFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70V631S10BF8

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V631easilyexpandsdatabuswidthto

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70V631S10BFG

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V631easilyexpandsdatabuswidthto

RENESASRenesas Technology Corp

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70V631S10BFG8

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V631easilyexpandsdatabuswidthto

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70V631S10BFG

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V631S10BFG

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V631S10BFG8

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V631S10BFG8

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V631S10BFGI

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V631S10BFGI

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V631S10BFGI8

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V631S10BFGI8

HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V631S10BFG

包裝：托盤 封裝/外殼：208-LFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 208FPBGA

RENESASRenesas Technology Corp

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70V631S10BFG8

包裝：托盤 封裝/外殼：208-LFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 208FPBGA

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    70V631S10BF

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術：

    SRAM - 雙端口，異步

  • 存儲容量：

    4.5Mb（256K x 18）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    3.15V ~ 3.45V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    208-LFBGA

  • 供應商器件封裝：

    208-CABGA（15x15）

  • 描述：

    IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多70V631S10BF供應商 更新時間2024-11-6 11:24:00

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