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70V639S12BFGI	文件：705.64 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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70V639S12BFGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤封裝/外殼：208-LFBGA 類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 2.25MBIT PAR 208FPBGA	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
70V639S12BFGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
包裝：
托盤
存儲(chǔ)器類型：
易失
存儲(chǔ)器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 雙端口，異步
存儲(chǔ)容量：
2.25Mb（128K x 18）
存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
寫周期時(shí)間 - 字，頁：
12ns
電壓 - 供電：
3.15V ~ 3.45V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
208-LFBGA
供應(yīng)商器件封裝：
208-CABGA（15x15）
描述：
IC SRAM 2.25MBIT PAR 208FPBGA

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司	70V639S12BFGI	IDT			3	全新原裝!優(yōu)勢(shì)庫存熱賣中!	詢價(jià)
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更多70V639S12BFGI供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-10 17:54:00

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