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零件編號 | 下載&訂購 | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
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70V658S12BC8 | HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V659/58/57easilyexpandsdatabuswi | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | |
70V658S12BC8 | 包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:256-LBGA 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256CABGA | Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc |
產品屬性
- 產品編號:
70V658S12BC8
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
SRAM
- 技術:
SRAM - 雙端口,異步
- 存儲容量:
2Mb(64K x 36)
- 存儲器接口:
并聯
- 寫周期時間 - 字,頁:
12ns
- 電壓 - 供電:
3.15V ~ 3.45V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
256-LBGA
- 供應商器件封裝:
256-CABGA(17x17)
- 描述:
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256CABGA
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT, Integrated Device Technol |
21+ |
119-BGA |
5280 |
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詢價 | ||
IDT, Integrated Device Technol |
24+ |
256-CABGA(17x17) |
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IDT |
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IDT |
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IDT |
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Integrated Device Technology |
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原廠原包裝 |
8600 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
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Renesas Electronics Corporatio |
23+/24+ |
256-LBGA |
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Renesas Electronics America In |
24+ |
256-LBGA |
9350 |
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RENESAS(瑞薩)/IDT |
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CABGA-256(17x17) |
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Renesas |
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