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70V658S12DRI 集成電路(IC)存儲器 IDT
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品參考屬性
- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
70V658S12DRI
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 雙端口,異步
- 存儲容量:
2Mb(64K x 36)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
12ns
- 電壓 - 供電:
3.15V ~ 3.45V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
208-BFQFP
- 供應(yīng)商器件封裝:
208-PQFP(28x28)
- 描述:
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市科雨電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
汪小姐
- 手機:
17147291886
- 詢價:
- 電話:
151-7354-7089
- 地址:
深圳市福田區(qū)深南中路3037號南光捷佳大廈2418室
相近型號
- 70V658S12BFGI
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