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70V659S12DRG集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

70V659S12DRG
廠商型號(hào)

70V659S12DRG

參數(shù)屬性

70V659S12DRG 封裝/外殼為208-BFQFP;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP

功能描述

HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

封裝外殼

208-BFQFP

文件大小

200.22 Kbytes

頁面數(shù)量

24

生產(chǎn)廠商 Integrated Device Technology, Inc.
企業(yè)簡稱

IDT

中文名稱

Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-19 14:20:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    70V659S12DRGI8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 雙端口,異步

  • 存儲(chǔ)容量:

    4.5Mb(128K x 36)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    12ns

  • 電壓 - 供電:

    3.15V ~ 3.45V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    208-BFQFP

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    208-PQFP(28x28)

  • 描述:

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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