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71124S12YG8集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

71124S12YG8
廠商型號(hào)

71124S12YG8

參數(shù)屬性

71124S12YG8 封裝/外殼為32-BSOJ(0.400",10.16mm 寬);包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

功能描述

CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout

封裝外殼

32-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)

文件大小

188.35 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

RENESAS瑞薩

中文名稱(chēng)

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-8 16:54:00

71124S12YG8規(guī)格書(shū)詳情

Features

◆ 128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM

◆ JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for

reduced noise.

◆ Equal access and cycle times

– Commercial: 12/15/20ns

– Industrial: 15/20ns

◆ One Chip Select plus one Output Enable pin

◆ Bidirectional inputs and outputs directly TTL-compatible

◆ Low power consumption via chip deselect

◆ Available in a 32-pin 400 mil Plastic SOJ.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    71124S12YG8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    12ns

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    32-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    32-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
RENESAS(瑞薩)/IDT
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