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71124S20YG 集成電路(IC)存儲(chǔ)器 IDT
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品參考屬性
- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
71124S20YG
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲(chǔ)器類型:
易失
- 存儲(chǔ)器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 異步
- 存儲(chǔ)容量:
1Mb(128K x 8)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字,頁:
20ns
- 電壓 - 供電:
4.5V ~ 5.5V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
32-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
32-SOJ
- 描述:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市科雨電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
汪小姐
- 手機(jī):
17147291886
- 詢價(jià):
- 電話:
151-7354-7089
- 地址:
深圳市福田區(qū)深南中路3037號(hào)南光捷佳大廈2418室
相近型號(hào)
- 71124S15YG8
- 711289
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- 7112S08X5X19