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71256L20YG8 集成電路(IC)存儲器 IDT
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品參考屬性
- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
71256L20YG8
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
SRAM
- 技術:
SRAM - 異步
- 存儲容量:
256Kb(32K x 8)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
20ns
- 電壓 - 供電:
4.5V ~ 5.5V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
28-BSOJ(0.300",7.62mm 寬)
- 供應商器件封裝:
28-SOJ
- 描述:
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
供應商
- 企業(yè):
深圳市艾宇欣科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
王小姐
- 手機:
137-5109-0307
- 詢價:
- 電話:
137-5109-0307/0755-83946758
- 地址:
深圳市福田區(qū)梅林街道上梅社區(qū)上梅林新村30號403
相近型號
- 71256-0002
- 71256L25Y
- 71256
- 71256L25YG
- 71255B
- 71256L25YG8
- 7125-5836-02
- 71256L25YGI
- 7125-5835-02
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- 71-255620-41S
- 71256L25YI
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- 71256L35DB
- 71-255612-10P
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- 71256L35YG8
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- 71256L35YGI
- 7125-5585-50
- 71256L35YGI8
- 7125-5508-50
- 71256L35YI
- 7125-5299
- 71256L45DB
- 7125528106
- 71256L45TDB
- 71255-001
- 71256L55DB
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- 71256L70DB
- 712544700+
- 71256L70TDB
- 71256L85DB
- 712544400
- 71256L85TDB
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- 71256S20Y
- 71-252724-61P
- 71256S20YGI
- 7125-2722-30