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7164S20YG8集成電路（IC）存儲器規(guī)格書PDF中文資料

7164S20YG8
廠商型號

7164S20YG8
參數(shù)屬性

7164S20YG8 封裝/外殼為28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）；包裝為管件；類別為集成電路（IC） > 存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
功能描述

CMOS Static RAM 64K (8K x 8-Bit)
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
文件大小

213.71 Kbytes
頁面數(shù)量

12 頁
生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS【瑞薩】

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2024-11-17 22:59:00

7164S20YG8規(guī)格書詳情

Features

◆ High-speed address/chip select access time

– Commercial: 20/25ns (max.)

– Industrial: 20/25ns (max.)

– Military: 20/25/35/45/55/70/85/100ns (max.)

◆ Low power consumption

◆ Battery backup operation – 2V data retention voltage

(L Version only)

◆ Produced with advanced CMOS high-performance

technology

◆ Inputs and outputs directly TTL-compatible

◆ Three-state outputs

◆ Available in 28-pin DIP, CERDIP and SOJ

◆ Military product compliant to MIL-STD-883, Class B

◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

◆ Green parts available, see ordering information

7164S20YG8屬于集成電路（IC） > 存儲器。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的7164S20YG8存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    7164S20YG8

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    64Kb（8K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    20ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    28-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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