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7164S25TPG

CMOS Static RAM 64K (8K x 8-Bit)

Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

7164S25TPG

Package：28-DIP（0.300"，7.62mm）；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

7164S25TPG8

CMOS Static RAM 64K

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

7164S25TPG88

CMOS Static RAM 64K

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

7164S25TPGI

CMOS Static RAM 64K

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

7164S25TPGI8

CMOS Static RAM 64K

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

7164S25YG

CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit)

Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

7164S25YGI

CMOSStaticRAM64K

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

7164S25YGI

CMOSStaticRAM64K(8Kx8-Bit)

Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

IDT7164S25D

CMOSSTATICRAM64K(8Kx8-BIT)

Description TheIDT7164isa65,536bithigh-speedstaticRAMorganizedas8Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. Addressaccesstimesasfastas15nsareavailableandthecircuitoffersareducedpowerstandbymode.WhenCS1goesHIGHorCS

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    7164S25TPG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量：

    64Kb（8K x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    25ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    28-DIP（0.300"，7.62mm）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    28-PDIP

  • 描述：

    IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多7164S25TPG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-26 15:00:00

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