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71T75602S100BG集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

71T75602S100BG
廠商型號

71T75602S100BG
參數(shù)屬性

71T75602S100BG 封裝/外殼為119-BGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲器；產品描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA
功能描述

512K x 36, 1M x 18 2.5V Synchronous ZBT? SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
文件大小

348.97 Kbytes
頁面數(shù)量

28 頁
生產廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS【瑞薩】

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-1 17:00:00

71T75602S100BG規(guī)格書詳情

Features

◆ 512K x 36, 1M x 18 memory configurations

◆ Supports high performance system speed - 200 MHz

(3.2 ns Clock-to-Data Access)

◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read

cycles

◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the

need to control OE

◆ Single R/W (READ/WRITE) control pin

◆ Positive clock-edge triggered address, data, and control

signal registers for fully pipelined applications

◆ 4-word burst capability (interleaved or linear)

◆ Individual byte write (BW1 - BW4) control (May tie active)

◆ Three chip enables for simple depth expansion

◆ 2.5V power supply (±5)

◆ 2.5V I/O Supply (VDDQ)

◆ Power down controlled by ZZ input

◆ Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1 Compliant)

◆ Packaged in a JEDEC standard 100-pin plastic thin quad

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA)

◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

◆ Green parts available, see ordering information

產品屬性

  • 產品編號：

    71T75602S100BG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術：

    SRAM - 同步，SDR（ZBT）

  • 存儲容量：

    18Mb（512K x 36）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    2.375V ~ 2.625V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    119-BGA

  • 供應商器件封裝：

    119-PBGA（14x22）

  • 描述：

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA

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