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71T75602S100BGGI8中文資料IDT數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

71T75602S100BGGI8
廠商型號

71T75602S100BGGI8

參數(shù)屬性

71T75602S100BGGI8 封裝/外殼為119-BGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA

功能描述

2.5V Synchronous ZBT SRAMs I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

文件大小

260.17 Kbytes

頁面數(shù)量

26

生產(chǎn)廠商 Integrated Device Technology, Inc.
企業(yè)簡稱

IDT

中文名稱

Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-15 23:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    71T75602S100BGGI8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術:

    SRAM - 同步,SDR(ZBT)

  • 存儲容量:

    18Mb(512K x 36)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    2.375V ~ 2.625V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    119-BGA

  • 供應商器件封裝:

    119-PBGA(14x22)

  • 描述:

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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