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71V016SA10YG集成電路(IC)存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
71V016SA10YG |
參數(shù)屬性 | 71V016SA10YG 封裝/外殼為44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬);包裝為托盤;類別為集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ |
功能描述 | 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit) |
文件大小 |
210.22 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
11 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2024-11-6 17:47:00 |
71V016SA10YG規(guī)格書詳情
Features
◆ 64K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM
◆ Equal access and cycle times
— Commercial: 10/12/15/20ns
— Industrial: 10/12/15/20ns
◆ One Chip Select plus one Output Enable pin
◆ Bidirectional data inputs and outputs directly
LVTTL-compatible
◆ Low power consumption via chip deselect
◆ Upper and Lower Byte Enable Pins
◆ Single 3.3V power supply
◆ Available in 44-pin Plastic SOJ, 44-pin TSOP, and
48-Ball Plastic FBGA packages
◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
◆ Green parts available, see ordering information
71V016SA10YG屬于集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的71V016SA10YG存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
71V016SA10YG
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器
- 包裝:
托盤
- 存儲(chǔ)器類型:
易失
- 存儲(chǔ)器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 異步
- 存儲(chǔ)容量:
1Mb(64K x 16)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字,頁:
10ns
- 電壓 - 供電:
3.15V ~ 3.6V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
44-SOJ
- 描述:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas Electronics Corporatio |
23+/24+ |
44-BSOJ |
8600 |
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詢價(jià) | ||
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RENESAS(瑞薩)/IDT |
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RENESAS(瑞薩)/IDT |
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Renesas Electronics America In |
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RENESAS(瑞薩)/IDT |
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