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71V016SA12YG8集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料

71V016SA12YG8
廠商型號

71V016SA12YG8

參數(shù)屬性

71V016SA12YG8 封裝/外殼為44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬);包裝為管件;類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

功能描述

3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (64K x 16-Bit)
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

文件大小

210.22 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2024-10-26 18:30:00

71V016SA12YG8規(guī)格書詳情

Features

◆ 64K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM

◆ Equal access and cycle times

— Commercial: 10/12/15/20ns

— Industrial: 10/12/15/20ns

◆ One Chip Select plus one Output Enable pin

◆ Bidirectional data inputs and outputs directly

LVTTL-compatible

◆ Low power consumption via chip deselect

◆ Upper and Lower Byte Enable Pins

◆ Single 3.3V power supply

◆ Available in 44-pin Plastic SOJ, 44-pin TSOP, and

48-Ball Plastic FBGA packages

◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

◆ Green parts available, see ordering information

71V016SA12YG8屬于集成電路(IC) > 存儲器。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的71V016SA12YG8存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    71V016SA12YG8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲容量:

    1Mb(64K x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    12ns

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    44-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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