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71V016SA15YG8集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

71V016SA15YG8
廠商型號

71V016SA15YG8

參數(shù)屬性

71V016SA15YG8 封裝/外殼為44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬);包裝為管件;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

功能描述

3.3V CMOS Static RAM

封裝外殼

44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)

文件大小

116.03 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Integrated Device Technology, Inc.
企業(yè)簡稱

IDT

中文名稱

Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-17 11:06:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    71V016SA15YG8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲容量:

    1Mb(64K x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    15ns

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    44-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

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