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71V124SA10Y 集成電路(IC)存儲器 IDT
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品參考屬性
- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
71V124SA10YG8
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
- 包裝:
管件
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 異步
- 存儲容量:
1Mb(128K x 8)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
10ns
- 電壓 - 供電:
3.15V ~ 3.6V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
32-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
32-SOJ
- 描述:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
云S/廖S
- 手機:
19168775913
- 詢價:
- 電話:
0755-88608801
- 傳真:
0755-88608801
- 地址:
深圳市福田區(qū)福田街道福華社區(qū)福虹路4號華強花園C座7A
相近型號
- 71V124SA10TY
- 71V124SA10YI8
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