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71V124SA10YG集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

71V124SA10YG
廠商型號

71V124SA10YG
參數(shù)屬性

71V124SA10YG 封裝/外殼為32-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
功能描述

3.3V CMOS Static RAM1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout
封裝外殼

32-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）
文件大小

192.06 Kbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS【瑞薩】

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-16 18:32:00

71V124SA10YG規(guī)格書詳情

Features

◆ 128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM

◆ JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for

reduced noise

◆ Equal access and cycle times

– Commercial: 10/12/15ns

– Industrial: 10/12/15ns

◆ One Chip Select plus one Output Enable pin

◆ Inputs and outputs are LVTTL-compatible

◆ Single 3.3V supply

◆ Low power consumption via chip deselect

◆ Available in a 32-pin 300- and 400-mil Plastic SOJ, and

32-pin Type II TSOP packages

◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

◆ Green parts available, see ordering information

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    71V124SA10YG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    1Mb（128K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    10ns

  • 電壓 - 供電：

    3.15V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    32-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    32-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
IDT
2101+
TSOP
54
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
RENESAS(瑞薩)/IDT
23+
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誠信服務(wù)，絕對原裝原盤
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Renesas Electronics Corporatio
23+/24+
32-BSOJ
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