71V124SA10YG8 集成電路（IC）存儲器 IDT, Integrated Device Technol

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廠家型號：
71V124SA10YG8
產(chǎn)品分類：
集成電路（IC） > 存儲器
生產(chǎn)廠商：
IDT, Integrated Device Technol
庫存數(shù)量：
56200
產(chǎn)品封裝：
32-SOJ
生產(chǎn)批號：
24+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2024-12-28 10:00:00

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原廠料號：71V124SA10YG8品牌：IDT, Integrated Device Technol

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71V124SA10YG8是集成電路（IC） > 存儲器。制造商IDT, Integrated Device Technol/Renesas Electronics America Inc生產(chǎn)封裝32-SOJ/32-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）的71V124SA10YG8存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

芯片型號：
71V124SA10YG8
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
RENESAS【瑞薩】詳情
廠商全稱：
Renesas Technology Corp
中文名稱：
瑞薩科技有限公司
內(nèi)容頁數(shù)：
9 頁
文件大小：
192.06 kb
資料說明：
3.3V CMOS Static RAM1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
71V124SA10YG8
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
管件
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 異步
存儲容量：
1Mb（128K x 8）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
10ns
電壓 - 供電：
3.15V ~ 3.6V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
32-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：
32-SOJ
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

供應(yīng)商

企業(yè)：
瀚佳科技(深圳)有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
李小姐
手機：
13480654098/13827426716
詢價：
電話：
0755-23915992/23140719
地址：
深圳市福田區(qū)華強北佳和A座2120

71V124SA10YG8 集成電路（IC）存儲器 IDT, Integrated Device Technol

71V124SA10YG8

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