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71V2546S150BG	文件：279.06 Kbytes Page：22 Pages	128K x 36 3.3V Synchronous ZBT? SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(READ/WRI	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V2546S150BG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤封裝/外殼：119-BGA 類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
71V2546S150BG8	文件：279.06 Kbytes Page：22 Pages	128K x 36 3.3V Synchronous ZBT? SRAM 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(READ/WRI	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V2546S150BGG	文件：733.03 Kbytes Page：21 Pages	3.3V Synchronous ZBT SRAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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71V2546S150BGGI8	文件：733.03 Kbytes Page：21 Pages	3.3V Synchronous ZBT SRAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
71V2546S150BG8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：119-BGA 類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
71V2546S150PFG	文件：733.03 Kbytes Page：21 Pages	3.3VSynchronousZBTSRAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
71V2546S150PFG	文件：279.06 Kbytes Page：22 Pages	128Kx363.3VSynchronousZBT?SRAM2.5VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs Features ◆128Kx36memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(READ/WRI	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
71V2546S150BG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
托盤
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 同步，SDR（ZBT）
存儲容量：
4.5Mb（128K x 36）
存儲器接口：
并聯(lián)
電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.465V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
119-BGA
供應(yīng)商器件封裝：
119-PBGA（14x22）
描述：
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	71V2546S150BG	IDT	24+	BGA	230		詢價
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深圳市斌騰達科技有限公司	71V2546S150BG	IDT, Integrated Device Technol	21+	48-VFBGA	5280	進口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營	詢價
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更多71V2546S150BG供應(yīng)商更新時間2024-12-29 16:30:00

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