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71V256SA12YG8集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

71V256SA12YG8
廠商型號

71V256SA12YG8
參數(shù)屬性

71V256SA12YG8 封裝/外殼為28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
功能描述

Lower Power 3.3V CMOS Fast SRAM 256K (32K x 8-Bit)
封裝外殼

28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）
文件大小

190.09 Kbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS【瑞薩】

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-2-9 23:00:00

71V256SA12YG8規(guī)格書詳情

Features

◆ Ideal for high-performance processor secondary cache

◆ Commercial (0°C to +70°C) and Industrial (–40°C to +85°C)

temperature range options

◆ Fast access times:

– Commercial and Industrial: 12/15/20ns

◆ Low standby current (maximum):

– 2mA full standby

◆ Small packages for space-efficient layouts:

– 28-pin 300 mil SOJ

– 28-pin TSOP Type I

◆ Produced with advanced high-performance CMOS

technology

◆ Inputs and outputs are LVTTL-compatible

◆ Single 3.3V(±0.3V) power supply

◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

◆ Green parts available, see ordering information

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    71V256SA12YG8

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    256Kb（32K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    12ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    28-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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