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71V25761S183PFGI集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
71V25761S183PFGI |
參數(shù)屬性 | 71V25761S183PFGI 封裝/外殼為100-LQFP;包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
功能描述 | 128K X 36 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect |
文件大小 |
278.36 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
18 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2024-12-28 23:00:00 |
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更多71V25761S183PFGI規(guī)格書詳情
Features
◆ 128K x 36 memory configuration
◆ Supports high system speed:
Commercial and Industrial:
– 200MHz 3.1ns clock access time
– 183MHz 3.3ns clock access time
– 166MHz 3.5ns clock access time
◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode
◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write
enable (BWE), and byte writes (BWx)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
71V25761S183PFGI
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器
- 包裝:
托盤
- 存儲(chǔ)器類型:
易失
- 存儲(chǔ)器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 同步,SDR
- 存儲(chǔ)容量:
4.5Mb(128K x 36)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 電壓 - 供電:
3.135V ~ 3.465V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
100-LQFP
- 供應(yīng)商器件封裝:
100-TQFP(14x20)
- 描述:
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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