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71V2576YS150BQI中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

71V2576YS150BQI
廠商型號

71V2576YS150BQI

功能描述

128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect

文件大小

822.05 Kbytes

頁面數(shù)量

23

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2024-12-29 11:10:00

71V2576YS150BQI規(guī)格書詳情

Features

◆ 128K x 36, 256K x 18 memory configurations

◆ Supports high system speed:

Commercial and Industrial:

– 150MHz 3.8ns clock access time

– 133MHz 4.2ns clock access time

◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode

◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write

enable (BWE), and byte writes (BWx)

◆ 3.3V core power supply

◆ Power down controlled by ZZ input

◆ 2.5V I/O

◆ Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1

compliant)

◆ Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch ball

grid array (fBGA)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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