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71V3556S集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

71V3556S
廠商型號(hào)

71V3556S
參數(shù)屬性

71V3556S 封裝/外殼為100-LQFP；包裝為管件；類(lèi)別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
功能描述

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
文件大小

337.62 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

29 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS【瑞薩】

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-2 23:15:00

71V3556S規(guī)格書(shū)詳情

Features

◆ 128K x 36, 256K x 18 memory configurations

◆ Supports high performance system speed - 166 MHz (x36)

(3.5 ns Clock-to-Data Access)

◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read

cycles

◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the

need to control OE

◆ Positive clock-edge triggered address, data, and control

signal registers for fully pipelined applications

◆ Positive clock-edge triggered address, data, and control

signal registers for fully pipelined applications

◆ Single R/W (READ/WRITE) control pin

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    71V3556S100PFG8

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類(lèi)別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，SDR（ZBT）

  • 存儲(chǔ)容量：

    4.5Mb（128K x 36）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    100-LQFP

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    100-TQFP（14x14）

  • 描述：

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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