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71V3556SA150BGG8集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
71V3556SA150BGG8 |
| 參數(shù)屬性 | 71V3556SA150BGG8 封裝/外殼為119-BGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA |
| 功能描述 | 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
| 文件大小 |
337.62 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
29 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-12-30 23:00:00 |
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更多71V3556SA150BGG8規(guī)格書詳情
Features
◆ 128K x 36, 256K x 18 memory configurations
◆ Supports high performance system speed - 166 MHz (x36)
(3.5 ns Clock-to-Data Access)
◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read
cycles
◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the
need to control OE
◆ Positive clock-edge triggered address, data, and control
signal registers for fully pipelined applications
◆ Positive clock-edge triggered address, data, and control
signal registers for fully pipelined applications
◆ Single R/W (READ/WRITE) control pin
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
71V3556SA150BGG8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
托盤
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 同步，SDR（ZBT）
- 存儲容量：
4.5Mb（128K x 36）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.465V
- 工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
119-BGA
- 供應(yīng)商器件封裝：
119-PBGA（14x22）
- 描述：
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞薩)/IDT |
23+ |
PBGA119(14x22) |
7350 |
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119-PBGA(14x22) |
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