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71V35761SA200BQG8集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
71V35761SA200BQG8 |
| 參數(shù)屬性 | 71V35761SA200BQG8 封裝/外殼為165-TBGA；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA |
| 功能描述 | 128K x 36 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| 封裝外殼 | 165-TBGA |
| 文件大小 |
319.72 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
23 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-9 9:47:00 |
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71V35761SA200BQG8規(guī)格書詳情
Features
◆ 128K x 36 memory configurations
◆ Supports high system speed:
Commercial:
– 200MHz 3.1ns clock access time
Commercial and Industrial:
– 183MHz 3.3ns clock access time
– 166MHz 3.5ns clock access time
◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode
◆ 3.3V core power supply
◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write
enable (BWE), and byte writes (BWx)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
71V35761SA200BQG8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 同步，SDR
- 存儲容量：
4.5Mb（128K x 36）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.465V
- 工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
165-TBGA
- 供應(yīng)商器件封裝：
165-CABGA（13x15）
- 描述：
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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