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71V416L10YG集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
71V416L10YG |
參數(shù)屬性 | 71V416L10YG 封裝/外殼為44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ |
功能描述 | 3.3V CMOS Static RAM |
文件大小 |
645.53 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Integrated Device Technology, Inc. |
企業(yè)簡稱 |
IDT |
中文名稱 | Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2024-12-28 23:00:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
71V416L10YG
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲(chǔ)器類型:
易失
- 存儲(chǔ)器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 異步
- 存儲(chǔ)容量:
4Mb(256K x 16)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字,頁:
10ns
- 電壓 - 供電:
3V ~ 3.6V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
44-SOJ
- 描述:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞薩)/IDT |
23+ |
SOJ44 |
7350 |
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RENESAS(瑞薩)/IDT |
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Renesas Electronics Corporatio |
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44-BSOJ |
8600 |
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Integrated Device Technology |
2022+ |
原廠原包裝 |
8600 |
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RENESAS(瑞薩電子) |
22+ |
NA |
500000 |
萬三科技,秉承原裝,購芯無憂 |
詢價(jià) | ||
RENESAS(瑞薩)/IDT |
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SOJ-44 |
315000 |
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IDT |
23+ |
SOJ |
4000 |
特價(jià)庫存 |
詢價(jià) | ||
IDT, Integrated Device Technol |
21+ |
54-TFBGA |
5280 |
進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠信經(jīng)營 |
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IDT |
1931+ |
N/A |
1186 |
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