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71V416L10YG集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

71V416L10YG
廠商型號(hào)

71V416L10YG

參數(shù)屬性

71V416L10YG 封裝/外殼為44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

功能描述

3.3V CMOS Static RAM

文件大小

645.53 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Integrated Device Technology, Inc.
企業(yè)簡稱

IDT

中文名稱

Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2024-12-28 23:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    71V416L10YG

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲(chǔ)容量:

    4Mb(256K x 16)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    10ns

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    44-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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