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71V416S12YG集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料
廠商型號(hào) |
71V416S12YG |
參數(shù)屬性 | 71V416S12YG 封裝/外殼為44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬);包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ |
功能描述 | 3.3V CMOS Static RAM |
文件大小 |
645.53 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Integrated Device Technology, Inc. |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
IDT |
中文名稱 | Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2024-12-28 23:00:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
71V416S12YG
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器
- 包裝:
托盤
- 存儲(chǔ)器類型:
易失
- 存儲(chǔ)器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 異步
- 存儲(chǔ)容量:
4Mb(256K x 16)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):
12ns
- 電壓 - 供電:
3V ~ 3.6V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
44-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
44-SOJ
- 描述:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞薩)/IDT |
23+ |
SOJ44 |
7350 |
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RENESAS(瑞薩)/IDT |
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RENESAS(瑞薩)/IDT |
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詢價(jià) | ||
IDT |
2023+ |
DIP |
50000 |
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RENESAS(瑞薩)/IDT |
2022+原裝正品 |
SOJ-44 |
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RENESAS(瑞薩電子) |
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萬(wàn)三科技,秉承原裝,購(gòu)芯無(wú)憂 |
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RENESAS(瑞薩)/IDT |
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