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71V424L10YG 集成電路(IC)存儲(chǔ)器 IDT
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
產(chǎn)品參考屬性
- 類(lèi)型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
71V424L10YG
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類(lèi)別:
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲(chǔ)器類(lèi)型:
易失
- 存儲(chǔ)器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 異步
- 存儲(chǔ)容量:
4Mb(512K x 8)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字,頁(yè):
10ns
- 電壓 - 供電:
3V ~ 3.6V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類(lèi)型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
36-BSOJ(0.400",10.16mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
36-SOJ
- 描述:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市冠億通科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
吳小姐
- 手機(jī):
18902317970
- 詢(xún)價(jià):
- 電話(huà):
0755-82578328/15697351502/15820786907
- 傳真:
0755-82578318
- 地址:
深圳市福田中航路都會(huì)100大廈B座10Q
相近型號(hào)
- 71V424L10PH
- 71V424L12PHG
- 71V424
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