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71V547S100PFGI

128K X 36, 3.3V Synchronous SRAM with ZBT? Feature, Burst Counter and Flow-Through Outputs

Features ◆128Kx36memoryconfiguration,flow-throughoutputs ◆Supportshighperformancesystemspeed-95MHz (8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedsignaleliminatestheneedto controlOE

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V547S100PFGI

Synchronous SRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V547S100PFGI

包裝：管件 封裝/外殼：100-LQFP 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V547S100PFGI8

128K X 36, 3.3V Synchronous SRAM with ZBT? Feature, Burst Counter and Flow-Through Outputs

Features ◆128Kx36memoryconfiguration,flow-throughoutputs ◆Supportshighperformancesystemspeed-95MHz (8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedsignaleliminatestheneedto controlOE

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V547S100PFGI8

Synchronous SRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V547S100PFGI8

包裝：托盤 封裝/外殼：100-LQFP 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V547S100PF

128KX36,3.3VSynchronousSRAMwithZBT?Feature,BurstCounterandFlow-ThroughOutputs

Features ◆128Kx36memoryconfiguration,flow-throughoutputs ◆Supportshighperformancesystemspeed-95MHz (8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedsignaleliminatestheneedto controlOE

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V547S100PFG

SynchronousSRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V547S100PFG

128KX36,3.3VSynchronousSRAMwithZBT?Feature,BurstCounterandFlow-ThroughOutputs

Features ◆128Kx36memoryconfiguration,flow-throughoutputs ◆Supportshighperformancesystemspeed-95MHz (8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedsignaleliminatestheneedto controlOE

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

IDT71V547S100PF

128KX36,3.3VSynchronousSRAMwithZBTFeature,BurstCounterandFlow-ThroughOutputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V547S100PFI

128KX36,3.3VSynchronousSRAMwithZBTFeature,BurstCounterandFlow-ThroughOutputs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    71V547S100PFGI

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，SDR（ZBT）

  • 存儲(chǔ)容量：

    4.5Mb（128K x 36）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    100-LQFP

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    100-TQFP（14x14）

  • 描述：

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IDT, Integrated Device Technol
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更多71V547S100PFGI供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-10-26 10:03:00

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