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71V632S6PF集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
71V632S6PF |
參數(shù)屬性 | 71V632S6PF 封裝/外殼為100-LQFP;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP |
功能描述 | 3.3V Synchronous SRAM Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
封裝外殼 | 100-LQFP |
文件大小 |
861.88 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
18 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Integrated Device Technology, Inc. |
企業(yè)簡稱 |
IDT |
中文名稱 | Integrated Device Technology, Inc.官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-8 13:46:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
71V632S6PFG8
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 同步,SDR
- 存儲容量:
2Mb(64K x 32)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 電壓 - 供電:
3.135V ~ 3.63V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
100-LQFP
- 供應(yīng)商器件封裝:
100-TQFP(14x14)
- 描述:
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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