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71V65903S85BGGI	文件：311.56 Kbytes Page：27 Pages	256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT? SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V65903S85BGGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：119-BGA 類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V65903S85BQ	文件：311.56 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT?SRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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71V65903S85PFG	文件：311.56 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT?SRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V65903S85PFGI	文件：311.56 Kbytes Page：27 Pages	256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBT?SRAMs3.3VI/O,BurstCounterFlow-ThroughOutputs Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-100MHz (7.5nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandread cycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
71V65903S85BGGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
包裝：
卷帶（TR）
存儲(chǔ)器類型：
易失
存儲(chǔ)器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 同步，SDR（ZBT）
存儲(chǔ)容量：
9Mb（512K x 18）
存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.465V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
119-BGA
供應(yīng)商器件封裝：
119-PBGA（14x22）
描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市斌騰達(dá)科技有限公司	71V65903S85BGGI	IDT, Integrated Device Technol	21+	24-TBGA	5280	進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)	詢價(jià)
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