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71V67603S150BGI8集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

71V67603S150BGI8
廠商型號

71V67603S150BGI8
參數(shù)屬性

71V67603S150BGI8 封裝/外殼為119-BGA；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA
功能描述

256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect
文件大小

302.92 Kbytes
頁面數(shù)量

23 頁
生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS【瑞薩】

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-5 18:30:00

71V67603S150BGI8規(guī)格書詳情

Features

◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations

◆ Supports high system speed:

– 166MHz 3.5ns clock access time

– 150MHz 3.8ns clock access time

– 133MHz 4.2ns clock access time

◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte

write enable (BWE), and byte writes (BWx)

◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode

◆ 3.3V core power supply

◆ Power down controlled by ZZ input

◆ 3.3V I/O supply (VDDQ)

◆ Packaged in a JEDEC Standard 100-pin thin plastic quad

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch

ball grid array (fBGA).

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    71V67603S150BGI8

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術：

    SRAM - 同步，SDR

  • 存儲容量：

    9Mb（256K x 36）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    119-BGA

  • 供應商器件封裝：

    119-PBGA（14x22）

  • 描述：

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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