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零件編號(hào)	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
71V67603S150BQ	文件：302.92 Kbytes Page：23 Pages	256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: –166MHz3.5nsclockaccesstime –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte writeenable(BWE),andbytewrites(BWx) ◆L	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V67603S150BQ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-TBGA；包裝：托盤類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
71V67603S150BQ8	文件：302.92 Kbytes Page：23 Pages	256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: –166MHz3.5nsclockaccesstime –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte writeenable(BWE),andbytewrites(BWx) ◆L	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V67603S150BQG	文件：302.92 Kbytes Page：23 Pages	256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: –166MHz3.5nsclockaccesstime –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte writeenable(BWE),andbytewrites(BWx) ◆L	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V67603S150BQG8	文件：302.92 Kbytes Page：23 Pages	256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: –166MHz3.5nsclockaccesstime –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte writeenable(BWE),andbytewrites(BWx) ◆L	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V67603S150BQI	文件：302.92 Kbytes Page：23 Pages	256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: –166MHz3.5nsclockaccesstime –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte writeenable(BWE),andbytewrites(BWx) ◆L	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V67603S150BQI8	文件：302.92 Kbytes Page：23 Pages	256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: –166MHz3.5nsclockaccesstime –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte writeenable(BWE),andbytewrites(BWx) ◆L	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
71V67603S150BQG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-TBGA；包裝：托盤類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
71V67603S150BQG8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-TBGA；包裝：托盤類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
71V67603S150PFG	文件：302.92 Kbytes Page：23 Pages	256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighsystemspeed: –166MHz3.5nsclockaccesstime –150MHz3.8nsclockaccesstime –133MHz4.2nsclockaccesstime ◆Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),byte writeenable(BWE),andbytewrites(BWx) ◆L	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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IDT71V67603S150BQGI	文件：986.08 Kbytes Page：23 Pages	256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V67603S150PFG	文件：986.08 Kbytes Page：23 Pages	256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V67603S150PFGI	文件：986.08 Kbytes Page：23 Pages	256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT71V67603S150PFI	文件：430.02 Kbytes Page：23 Pages	256KX36,512KX183.3VSynchronousSRAMs3.3VI/O,BurstCounterPipelinedOutputs,SingleCycleDeselect	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
71V67603S150BQ
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
包裝：
托盤
存儲(chǔ)器類型：
易失
存儲(chǔ)器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 同步，SDR
存儲(chǔ)容量：
9Mb（256K x 36）
存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.465V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
165-TBGA
供應(yīng)商器件封裝：
165-CABGA（13x15）
描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市鵬順微電子科技有限公司	71V67603S150BQ	RENESAS(瑞薩)/IDT	2022+原裝正品	CABGA-165(13x15)	18000	支持工廠BOM表配單公司只做原裝正品貨	詢價(jià)
深圳市澳億芯電子科技有限公司	71V67603S150BQ	IDT	23+	BGA	98900	原廠原裝正品現(xiàn)貨!!	詢價(jià)
深圳誠思涵科技有限公司	71V67603S150BQ	IDT	16+	BGA	2500	進(jìn)口原裝現(xiàn)貨/價(jià)格優(yōu)勢!	詢價(jià)
深圳市福田區(qū)億興成電子商行	71V67603S150BQ	IDT	BGAQFP	6688	15	現(xiàn)貨庫存	詢價(jià)
深圳市斌騰達(dá)科技有限公司	71V67603S150BQ	IDT, Integrated Device Technol	21+	64-LBGA	5280	進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價(jià)格(誠信經(jīng)營	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	71V67603S150BQ	IDT, Integrated Device Technol	24+	165-CABGA(13x15)	56200	一級(jí)代理/放心采購	詢價(jià)
深圳市艾宇欣科技有限公司	71V67603S150BQ	IDT	1931+	N/A	1186	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購物	詢價(jià)
艾睿國際（香港）有限公司	71V67603S150BQ	RENESAS(瑞薩)/IDT	2117+	CABGA-165(13x15)	315000	136個(gè)/托盤一級(jí)代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	71V67603S150BQ	IDT	20+	BGA-165	136	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)
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