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71V67802133BQG中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

71V67802133BQG
廠商型號(hào)

71V67802133BQG

功能描述

256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect

文件大小

540.13 Kbytes

頁面數(shù)量

24

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-26 9:20:00

71V67802133BQG規(guī)格書詳情

Features

◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations

◆ Supports high system speed:

– 166MHz 3.5ns clock access time

– 150MHz 3.8ns clock access time

– 133MHz 4.2ns clock access time

◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode

◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte

write enable (BWE), and byte writes (BWx)

◆ 3.3V core power supply

◆ Power down controlled by ZZ input

◆ 2.5V I/O supply (VDDQ)

◆ Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch

ball grid array.

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