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71V67903S85BG8集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

71V67903S85BG8
廠商型號(hào)

71V67903S85BG8

參數(shù)屬性

71V67903S85BG8 封裝/外殼為119-BGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

功能描述

256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect

文件大小

301.85 Kbytes

頁面數(shù)量

23

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-25 16:55:00

71V67903S85BG8規(guī)格書詳情

Features

◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations

◆ Supports fast access times:

– 7.5ns up to 117MHz clock frequency

– 8.0ns up to 100MHz clock frequency

– 8.5ns up to 87MHz clock frequency

◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode

◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write

enable (BWE), and byte writes (BWx)

◆ 3.3V core power supply

◆ Power down controlled by ZZ input

◆ 3.3V I/O supply (VDDQ)

◆ Packaged in a JEDEC Standard 100-pin thin plastic quad

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch ball

grid array (fBGA)

◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

◆ Green parts available, see ordering information

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    71V67903S85BG8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 同步,SDR

  • 存儲(chǔ)容量:

    9Mb(512K x 18)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    119-BGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    119-PBGA(14x22)

  • 描述:

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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