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74AUP1G00集成電路（IC）的門反相器規(guī)格書PDF中文資料

74AUP1G00
廠商型號(hào)

74AUP1G00
參數(shù)屬性

74AUP1G00 封裝/外殼為6-XFDFN；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為集成電路（IC）的門反相器；產(chǎn)品描述：IC GATE NAND 1CH 2-INP DFN1010-6
功能描述

Low-power 2-input NAND gate
封裝外殼

6-XFDFN
文件大小

274.25 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

18 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA【安世】

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-11 22:58:00
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74AUP1G00規(guī)格書詳情

1. General description

The 74AUP1G00 is a single 2-input NAND gate. Schmitt-trigger action at all inputs makes the

circuit tolerant of slower input rise and fall times. This device ensures very low static and dynamic

power consumption across the entire VCC range from 0.8 V to 3.6 V. This device is fully specified

for partial power down applications using IOFF. The IOFF circuitry disables the output, preventing the

damaging backflow current through the device when it is powered down.

2. Features and benefits

? Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V

? CMOS low power dissipation

? High noise immunity

? Complies with JEDEC standards:

? JESD8-12 (0.8 V to 1.3 V)

? JESD8-11 (0.9 V to 1.65 V)

? JESD8-7 (1.65 V to 1.95 V)

? JESD8-5 (2.3 V to 2.7 V)

? JESD8C (2.7 V to 3.6 V)

? ESD protection:

? HBM JESD22-A114F Class 3A exceeds 5000 V

? MM JESD22-A115-A exceeds 200 V

? CDM JESD22-C101E exceeds 1000 V

? Low static power consumption; ICC = 0.9 μA (maximum)

? Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78 Class II

? Overvoltage tolerant inputs to 3.6 V

? Low noise overshoot and undershoot < 10 of VCC

? IOFF circuitry provides partial Power-down mode operation

? Multiple package options

? Specified from -40 °C to +85 °C and -40 °C to +125 °C

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    74AUP1G00FW4-7

  • 制造商：

    Diodes Incorporated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 門和反相器

  • 系列：

    74AUP

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 邏輯類型：

    與非門

  • 輸入數(shù)：

    2

  • 電壓 - 供電：

    0.8V ~ 3.6V

  • 電流 - 輸出高、低：

    4mA，4mA

  • 邏輯電平 - 低：

    0.7V ~ 0.9V

  • 邏輯電平 - 高：

    1.6V ~ 2V

  • 不同 V、最大 CL 時(shí)最大傳播延遲：

    6.5ns @ 3.3V，30pF

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 125°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    X2-DFN1010-6

  • 封裝/外殼：

    6-XFDFN

  • 描述：

    IC GATE NAND 1CH 2-INP DFN1010-6

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