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74AUP1G38GM集成電路(IC)的門反相器規(guī)格書PDF中文資料

74AUP1G38GM
廠商型號(hào)

74AUP1G38GM

參數(shù)屬性

74AUP1G38GM 封裝/外殼為6-XFDFN;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為集成電路(IC)的門反相器;產(chǎn)品描述:IC GATE NAND OD 1CH 2-INP 6XSON

功能描述

Low-power 2-input NAND gate (open drain)

絲印標(biāo)識(shí)

aB

封裝外殼

SOT886 / 6-XFDFN

文件大小

269.89 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

18 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-30 16:54:00

74AUP1G38GM規(guī)格書詳情

1. General description

The 74AUP1G38 is a single 2-input NAND gate with open-drain output. Schmitt-trigger action at

all inputs makes the circuit tolerant of slower input rise and fall times. This device ensures very

low static and dynamic power consumption across the entire VCC range from 0.8 V to 3.6 V. This

device is fully specified for partial power down applications using IOFF. The IOFF circuitry disables

the output, preventing the potentially damaging backflow current through the device when it is

powered down.

2. Features and benefits

? Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V

? CMOS low power dissipation

? High noise immunity

? Complies with JEDEC standards:

? JESD8-12 (0.8 V to 1.3 V)

? JESD8-11 (0.9 V to 1.65 V)

? JESD8-7 (1.65 V to 1.95 V)

? JESD8-5 (2.3 V to 2.7 V)

? JESD8C (2.7 V to 3.6 V)

? ESD protection:

? HBM JESD22-A114F Class 3A exceeds 5000 V

? MM JESD22-A115-A exceeds 200 V

? CDM JESD22-C101E exceeds 1000 V

? Low static power consumption; ICC = 0.9 μA (maximum)

? Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78 Class II

? Overvoltage tolerant inputs to 3.6 V

? Low noise overshoot and undershoot < 10 of VCC

? IOFF circuitry provides partial Power-down mode operation

? Multiple package options

? Specified from -40 °C to +85 °C and -40 °C to +125 °C

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    74AUP1G38GM,132

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 門和反相器

  • 系列:

    74AUP

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 邏輯類型:

    與非門

  • 輸入數(shù):

    2

  • 特性:

    開路漏極

  • 電壓 - 供電:

    0.8V ~ 3.6V

  • 電流 - 輸出高、低:

    -,4mA

  • 邏輯電平 - 低:

    0.7V ~ 0.9V

  • 邏輯電平 - 高:

    1.6V ~ 2V

  • 不同 V、最大 CL 時(shí)最大傳播延遲:

    12.7ns @ 3.3V,30pF

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    6-XSON,SOT886(1.45x1)

  • 封裝/外殼:

    6-XFDFN

  • 描述:

    IC GATE NAND OD 1CH 2-INP 6XSON

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Nexperia(安世)
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