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74HC2G00GD集成電路(IC)的門(mén)反相器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

廠商型號(hào) |
74HC2G00GD |
參數(shù)屬性 | 74HC2G00GD 封裝/外殼為8-XFDFN;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為集成電路(IC)的門(mén)反相器;產(chǎn)品描述:IC GATE NAND 2CH 2-INP 8XSON |
功能描述 | Dual 2-input NAND gate |
封裝外殼 | 8-XFDFN |
文件大小 |
91.58 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
13 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
nxp【恩智浦】 |
中文名稱(chēng) | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-3-21 19:00:00 |
人工找貨 | 74HC2G00GD價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
74HC2G00GD規(guī)格書(shū)詳情
General description
The 74HC2G00 and 74HCT2G00 are high-speed Si-gate CMOS devices. They provide two 2-input NAND gates.
The HC device has CMOS input switching levels and supply voltage range 2 V to 6 V.
The HCT device has TTL input switching levels and supply voltage range 4.5 V to 5.5 V.
Features
■ Wide supply voltage range from 2.0 V to 6.0 V
■ Symmetrical output impedance
■ High noise immunity
■ Low power dissipation
■ Balanced propagation delays
■ Multiple package options
■ ESD protection:
◆ HBM JESD22-A114E exceeds 2000 V
◆ MM JESD22-A115-A exceeds 200 V
■ Specified from ?40 °C to +85 °C and ?40 °C to +125 °C
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
74HC2G00GD,125
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 類(lèi)別:
集成電路(IC) > 門(mén)和反相器
- 系列:
74HC
- 包裝:
卷帶(TR)
- 邏輯類(lèi)型:
與非門(mén)
- 輸入數(shù):
2
- 電壓 - 供電:
2V ~ 6V
- 電流 - 輸出高、低:
5.2mA,5.2mA
- 邏輯電平 - 低:
0.5V ~ 1.8V
- 邏輯電平 - 高:
1.5V ~ 4.2V
- 不同 V、最大 CL 時(shí)最大傳播延遲:
7ns @ 6V,50pF
- 工作溫度:
-40°C ~ 125°C
- 安裝類(lèi)型:
表面貼裝型
- 供應(yīng)商器件封裝:
8-XSON(2x3)
- 封裝/外殼:
8-XFDFN
- 描述:
IC GATE NAND 2CH 2-INP 8XSON
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
24+ |
MSOP8 |
20000 |
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NXP |
21+ |
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NXP/恩智浦 |
22+ |
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NXP |
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NXP |
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NXP |
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NXP/恩智浦 |
23+ |
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