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74LVC1G10GM集成電路(IC)門反相器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
74LVC1G10GM |
參數(shù)屬性 | 74LVC1G10GM 封裝/外殼為6-XFDFN;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC) > 門和反相器;產(chǎn)品描述:IC GATE NAND 1CH 3-INP 6XSON |
功能描述 | Single 3-input NAND gate |
文件大小 |
238.9 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
15 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企業(yè)簡稱 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名稱 | 安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2024-11-6 20:00:00 |
74LVC1G10GM規(guī)格書詳情
1. General description
The 74LVC1G10 provides a low-power, low-voltage single 3-input NAND gate.
The inputs can be driven from either 3.3 V or 5 V devices. This feature allows the use of this device
in a mixed 3.3 V and 5 V environment.
Schmitt trigger action at all inputs makes the circuit tolerant to slower input rise and fall time.
This device is fully specified for partial power-down applications using IOFF. The IOFF circuitry
disables the output, preventing the damaging backflow current through the device when it is
powered down.
2. Features and benefits
? Wide supply voltage range from 1.65 V to 5.5 V
? High noise immunity
? ±24 mA output drive (VCC = 3.0 V)
? CMOS low power dissipation
? Latch-up performance exceeds 250 mA
? Direct interface with TTL levels
? Inputs accept voltages up to 5 V
? IOFF circuitry provides partial Power-down mode operation
? Complies with JEDEC standard:
? JESD8-7 (1.65 V to 1.95 V)
? JESD8-5 (2.3 V to 2.7 V)
? JESD8C (2.7 V to 3.6 V)
? JESD36 (4.5 V to 5.5 V)
? ESD protection:
? HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V
? MM JESD22-A115-A exceeds 200 V
? CDM JESD22-C101E exceeds 1000 V
? Multiple package options
? Specified from -40 °C to +85 °C and -40 °C to +125 °C
74LVC1G10GM屬于集成電路(IC) > 門和反相器。安世半導(dǎo)體(中國)有限公司制造生產(chǎn)的74LVC1G10GM門和反相器邏輯柵極和逆變器系列中的產(chǎn)品對單個(gè)邏輯信號(hào)執(zhí)行基本邏輯運(yùn)算(例如 AND、NOT、OR 等)。與觸發(fā)器不同,它們不能夠存儲(chǔ)信息,不會(huì)對提供給其輸入的信號(hào)立即做出響應(yīng)。雖然早就被集成電路實(shí)施形式所取代,以用于實(shí)現(xiàn)復(fù)雜功能,但分立柵極仍可在僅需要非常簡單邏輯功能的情況下使用。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
74LVC1G10GM,132
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 類別:
集成電路(IC) > 門和反相器
- 系列:
74LVC
- 包裝:
卷帶(TR)
- 邏輯類型:
與非門
- 輸入數(shù):
3
- 電壓 - 供電:
1.65V ~ 5.5V
- 電流 - 輸出高、低:
32mA,32mA
- 邏輯電平 - 低:
0.7V ~ 0.8V
- 邏輯電平 - 高:
1.7V ~ 2V
- 不同 V、最大 CL 時(shí)最大傳播延遲:
3.6ns @ 5V,50pF
- 工作溫度:
-40°C ~ 125°C
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 供應(yīng)商器件封裝:
6-XSON,SOT886(1.45x1)
- 封裝/外殼:
6-XFDFN
- 描述:
IC GATE NAND 1CH 3-INP 6XSON
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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