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74LVC1G10GM集成電路(IC)的門(mén)反相器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

74LVC1G10GM
廠商型號(hào)

74LVC1G10GM

參數(shù)屬性

74LVC1G10GM 封裝/外殼為6-XFDFN;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的門(mén)反相器;產(chǎn)品描述:IC GATE NAND 1CH 3-INP 6XSON

功能描述

Single 3-input NAND gate

絲印標(biāo)識(shí)

YM

封裝外殼

SOT886 / 6-XFDFN

文件大小

238.9 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-28 18:26:00

74LVC1G10GM規(guī)格書(shū)詳情

1. General description

The 74LVC1G10 provides a low-power, low-voltage single 3-input NAND gate.

The inputs can be driven from either 3.3 V or 5 V devices. This feature allows the use of this device

in a mixed 3.3 V and 5 V environment.

Schmitt trigger action at all inputs makes the circuit tolerant to slower input rise and fall time.

This device is fully specified for partial power-down applications using IOFF. The IOFF circuitry

disables the output, preventing the damaging backflow current through the device when it is

powered down.

2. Features and benefits

? Wide supply voltage range from 1.65 V to 5.5 V

? High noise immunity

? ±24 mA output drive (VCC = 3.0 V)

? CMOS low power dissipation

? Latch-up performance exceeds 250 mA

? Direct interface with TTL levels

? Inputs accept voltages up to 5 V

? IOFF circuitry provides partial Power-down mode operation

? Complies with JEDEC standard:

? JESD8-7 (1.65 V to 1.95 V)

? JESD8-5 (2.3 V to 2.7 V)

? JESD8C (2.7 V to 3.6 V)

? JESD36 (4.5 V to 5.5 V)

? ESD protection:

? HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V

? MM JESD22-A115-A exceeds 200 V

? CDM JESD22-C101E exceeds 1000 V

? Multiple package options

? Specified from -40 °C to +85 °C and -40 °C to +125 °C

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    74LVC1G10GM,132

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 門(mén)和反相器

  • 系列:

    74LVC

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 邏輯類型:

    與非門(mén)

  • 輸入數(shù):

    3

  • 電壓 - 供電:

    1.65V ~ 5.5V

  • 電流 - 輸出高、低:

    32mA,32mA

  • 邏輯電平 - 低:

    0.7V ~ 0.8V

  • 邏輯電平 - 高:

    1.7V ~ 2V

  • 不同 V、最大 CL 時(shí)最大傳播延遲:

    3.6ns @ 5V,50pF

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    6-XSON,SOT886(1.45x1)

  • 封裝/外殼:

    6-XFDFN

  • 描述:

    IC GATE NAND 1CH 3-INP 6XSON

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Nexperia(安世)
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XSON6(1x1.5)
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